Прогнозирование времени хранения информации после отключения питания для интегральных микросхем энергонезависимой памятиПлебанович, В. И.,
Боровиков, С. М.,
Шнейдеров, Е. Н.,
Бурак, И. А.,
Plebanovich, V. I.,
Borovikov, S. M.,
Shneiderov, E. N.,
Burak, I. A. время хранения информации после отключения питания.For crystals of EEPROM
integrated circuits (ICs) a
NGD Bandpass Type Characterization of Circular Curved Coupled-LineWang Xirui,
Wan Fayu,
Mordachev, V.,
Sinkevich, Е.,
Ngoho, S.,
Murad, N. M.,
Ravelo, B. ) coupled-line (CL) microstrip
circuit with a bandpass (BP) characteristic. The novel CC CL-based
circuit Study of the Influence of the Voltage Regulator Integrated Circuit Topology on its Radiation Hardness and it is shown that for linear voltage regulators
integrated circuits it allows diagnosing presence of changes
Формирование функционального слоя интегральной микросхемы реактивно-ионным травлениемFormation of the functional layer of the
integrated microcircuit by reactive-ion etching
Quad-Band NGD Investigation on Crossed Resonator Interconnect Structure-lines of printed
circuit board (PCB) presents bandpass (BP) negative group delay (NGD) behavior. The NGD effect