Численное моделирование трехбарьерных резонансно-туннельных диодов на основе графена подложке диоксида кремния (SiO2). Исследовано влияние
ширин барьеров и квантовых ям на ВАХ трехбарьерных
Расчет количества опилок при выпиловке необрезных досок количественные их выходы в процентах от объема бревен, имеющих коэффициенты сбега 1,10–1,40 для
ширин пропила в
Резонансная фотоионизация многозарядных гелиеподобных ионов, проведено сравнение энергий возбуждения, собственных
ширин и профильных индексов, вычисленных в
Особенности формирования зонной структуры кристаллов Cu2O и Ag2O со структурой куприта приводит к лучшему согласию вычисленных
ширин запрещенных зон с экспериментом. Установлен генезис зонных