Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭФотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 КФотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основеФотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
Оптические и фотоэлектрические характеристики наногетероструктур Ge/Si с квантовыми точками GeОптические и
фотоэлектрические характеристики наногетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3
Преобразователи измерительной информации : пособие студентами на практических занятиях по дисциплине «Преобразование и
преобразователи измерительной информации