Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 11699

Страница 7 из 1170

Исследование влияния размера локальной металлизации поверхности n-GaAs на картину распределения поверхностного потенциала, полученную методом атомно-силовой микроскопии
Назарчук, Юлия Николаевна, Новиков, Вадим Александрович, Торхов, Николай Анатольевич
исследования потенциала поверхности арсенида галлия GaAs с локально нанесенными на нее тонкими слоями золота
Исследование оптических свойств системы арсенид галлия-анодная окисная пленка эллипсометрическим методом
Ляшенко, А.В., Громов, А.И., Тарантов, Ю.А., Новиков, А.И.
пленка(АОП). На длине волны 632.8 нм определены оптические постоянные арсенида галлия ( N=3.845--i0.16) и
Измерение и моделирование вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых сенсоров высокоэнергетических электронов
Маковский, Артем Александрович
матричных сенсоров на основе высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом. Установлено, что
Дисперсия коэффициента преломления света и вынужденное двойное лучепреломление в арсениде галлия
Гейдур, С.А., Пихтин, А.Н., Прокопенко, В.Т., Яськов, А.Д.
As. Экспериментальные данные обобщены в рамках простых моделей, учитывающих строение энергетических зон арсенида галлия
Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
Зарубин, Андрей Николаевич, Колесникова, Ирина Игоревна, Лозинская, Анастасия Дмитриевна, Новиков, Владимир Александрович, Скакунов, Максим Сергеевич, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Шемерянкина, Анастасия Владимировна
рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 - физика полупроводников
Прудаев И. А. (Илья Анатольевич)
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr: автореферат диссертации на
Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr
Гермогенов, Валерий Петрович, Пономарев, Иван Викторович, Тяжев, Антон Владимирович, Вилисова, Мария Дмитриевна
арсенид галлия
Бинарные полупроводниковые соединения
Гольдаде, В.А.
Пассивация полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия с применением ионно-лучевого распыления диэлектрических мишеней
Телеш, Е. В.
увеличение адгезии диэлектрического слоя. Диэлектри- ческие слои, сформированные ИЛР, обладают адгезией
Формирование буферных слоев с помощью анодного оксида алюминия на Si для эпитаксиального роста тринитридов
Горох, Г. Г., Деминский, П. В., Лозовенко, А. А., Захлебаева, А. А.
маски из АОА, в которых синтезируется наноструктуры нитрида галлия. Определены оптимальные

Страница 7 из 1170

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core