Определение сечений (p,n)- и (n, α)-реакций на ²⁸Si, ²⁹Si и ³⁰Si при энергии нейтронов 14,8 МэВОпределение сечений (p,n)- и (n, α)-реакций на ²⁸
Si, ²⁹
Si и ³⁰
Si при энергии нейтронов 14,8 МэВ
Электронная теплоемкость некоторых соединений ванадия при низких температурахСуриков, Вадим Иванович,
Суриков, Валерий Иванович,
Кузнецова, Юлия Вадимовна,
Семенюк, Наталья Андреевна,
Лях, Ольга Владимировна,
Прокудина, Наталья Анатольевна рассчитаны значения плотности состояний вблизи уровня Ферми. Установлено, что для материалов V3
Si и V3Ge
Детектирование дефектов пленок SiO₂ холестерическими жидкими кристалламиДетектирование дефектов пленок
SiO₂ холестерическими жидкими кристаллами
Электрические свойства структур металл – Pb0.75Sn0.25Te структуры
металл – полупроводник на их основе и исследованы их контактные сопротивления rk в интервале 77