Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

По вашему запросу найдено документов: 48003

Страница 1 из 4801

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением составагетероэпитаксиальные структуры

Ion implantation in narrow-gap CdxHg1–xTe solid solutionsгетероэпитаксиальные слои

Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1–xTeгетероэпитаксиальные слои

Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTeИзготовлены многослойные униполярные гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTe, выращенного

О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжигагетероэпитаксиальные структуры

Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTeгетероэпитаксиальные структуры

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTeгетероэпитаксиальные слои

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structuresгетероэпитаксиальные структуры

Accumulation of arsenic implantation‑induced donor defects in Hg0.7Cd0.3Te heteroepitaxial structuresгетероэпитаксиальные структуры

Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xТе время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры

Страница 1 из 4801