Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1–xTe

Талипов, Нияз Хатимович; Войцеховский, Александр Васильевич

Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1–xTe

Талипов, Нияз Хатимович, Войцеховский, Александр Васильевич

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:41:01Z

Аннотация:

Представлены результаты экспериментальных исследований процессов радиационного дефектообразования в узкозонных твердых растворах CdₓHg₁₋ₓTe (КРТ) при ионной имплантации. Рассмотрены процессы формирования структурных нарушений кристалла и их влияние на электрофизические свойства ионно-имплантированных объемных кристаллов и гетероэпитаксиальных структур КРТ р-типа, выращенных методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии. Приведены результаты по пространственному распределению в данных материалах внедренных атомов бора, а также радиационных донорных центров в зависимости от массы, дозы и энергии внедряемых ионов, температуры имплантации. Рассмотрены процессы и модели формирования n⁺–n⁻–p-структур при ионной имплантации бора в КРТ р-типа и их экспериментальное доказательство.

Ключевые слова:
гетероэпитаксиальные слои, варизонные структуры, радиационные дефекты, ионная имплантация, фотодиоды

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 6. С. 3-20