Статистические характеристики отказов запоминающих элементов в микросхемах памяти эксплуатационных отказов
запоминающих элементов в накопителях БИС ЗУ информационной емкостью 4 К. Показано, что по
Модель распределения дефектных запоминающих элементов на кристаллах БИС ЗУМодель распределения дефектных
запоминающих элементов на кристаллах БИС ЗУ
Анализ тестов запоминающих устройств для обнаружения пассивных кодочувствительных неисправностейТезис посвящен методам обнаружения неисправностей
запоминающих элементов. Рассматриваются модели
Надежность избыточных микросхем памяти, устойчивых к двойным ошибкам (ЗУ) заключается в размещении на кристалле ЗУ избыточных логических и
запоминающих элементов