Верификация методики определения параметров компактной модели GaAs гетеропереходных биполярных транзисторов точность моделирования вольт-амперных характеристик, что подтверждает эффективность методики.
Моделирование Моделирование гетероструктур с квантовыми ямами устройств
является использование гетероструктур на основе материалов AIIIBV.
Приборное применение таких
Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессахПриборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
Приборное оснащение и методическое сопровождение исследований газогидратов и их залежейПриборное оснащение и методическое сопровождение исследований газогидратов и их залежей
Усовершенствованный технологический маршрут формирования биполярного транзистора со статической индукцией характеристик полученной структуры. В настоящей работе
приборное моделирование биполярного транзистора со
Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукциейЛагунович, Н. Л.,
Борздов, В. М.,
Турцевич, А. С.,
Lagunovich, N. L.,
Borzdov, V. M.,
Turtsevich, A. S. транзистора с требуемыми электрическими характеристиками.
Приборное моделирование БСИТ было выполнено с