Переходные процессы в СВЧ-pin-диодах на арсениде галлияПереходные процессы в СВЧ-
pin-диодах на арсениде галлия
A method for determining the ambipolar diffusion length and carrier lifetime in GaAs p-i-n diodes of typical microwave
p-i-n diodes depends on the ratio of the square of the ambipolar-diffusion length
Transient processes in the GaAs-based microwave-pin-diodesThe results of studies of transient characteristics of microwave-
pin-diodes based on gallium
Диоды Шоттки на карбиде кремнияДиоды Шоттки на карбиде кремния