Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 66464

Страница 4 из 6647

Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaNВ статье приводятся результаты исследования особенностей переноса электронов в мате- риале Ga

Исследование скин-эффекта в плазме с использованием двухпараметрического кинетического уравнения параметра b, b – отношение частоты межэлектронных столкновений к полной частоте рассеяния электронов. При b

МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ Часть 1. Моделирование процессов в равновесной пылевой плазмеэмиссия электронов

Интенсивная электронная эмиссия диэлектрика, индуцированная наносекундной инжекцией пучка электронов умеренной и высокой плотности тока: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 - Физика конденсированного состояния электронов умеренной и высокой плотности тока: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата

Кинетика двумерных электронов в постоянном магнитном поле в присутствии микроволнового излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 - физика конденсированного состоянияКинетика двумерных электронов в постоянном магнитном поле в присутствии микроволнового излучения

О природе электромодуляции оптических констант серебра границе серебро - раствор электролита определена оптическая масса свободных электронов в ПС, Показано, что

Использование EBSD анализа для оценки структурного состояния полученных лазером сварных соединений титанового сплаваEBSD, метод дифракции обратно рассеянных электронов

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии : учебно-методическое пособие для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов общие сведения о применении метода дифракции быстрых отраженных электронов (ДБОЭ) при эпитаксии. Метод

Упругие отражения и рассеяние бомбардирующих электронов в приповерхностной области кристаллаФедоренко Б.З. Упругие отражения и рассеяние бомбардирующих электронов в приповерхностной области

Интенсивности рассеивания носителей заряда в графене, расположенном на подложке из гексогонального нитрида бора. Представлены формулы, которые позволяют выполнить моделирование основных интенсивностей рассеивания электронов

Страница 4 из 6647