Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaNМуравьев, В. В.,
Тамело, А. А.,
Мищенко, В. Н.,
Muraviev, V. V.,
Tamelo, A. A.,
Mishchenko, V. H. В статье приводятся результаты исследования особенностей переноса
электронов в мате-
риале Ga
Исследование скин-эффекта в плазме с использованием двухпараметрического кинетического уравнения параметра b, b – отношение частоты межэлектронных столкновений к полной частоте рассеяния
электронов. При b
О природе электромодуляции оптических констант серебра границе серебро - раствор электролита определена оптическая масса
свободных электронов в ПС, Показано, что
Упругие отражения и рассеяние бомбардирующих электронов в приповерхностной области кристаллаФедоренко Б.З. Упругие отражения и рассеяние бомбардирующих
электронов в приповерхностной области
Интенсивности рассеивания носителей заряда в графене, расположенном на подложке из гексогонального нитрида бора. Представлены формулы, которые позволяют выполнить моделирование основных интенсивностей рассеивания
электронов