По вашему запросу найдено документов: 66464
Страница 6 из 6647
Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)дифракция быстрых отраженных электронов, метод
Аналитическое исследование влияния характеристик пучка и поля ондулятора на излучение лазера на свободных электронахНа основе аналитического описания излучения лазеров на свободных электронах (ЛСЭ) исследуется
Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графена переноса электронов в трехмерной полупроводниковой структуре, содержащей одиночный
слой графена
Cyclotron-Resonance Interaction of Electrons with Electromagnetic WavesПредставлена релятивистская теория резонансного взаимодействия электронов с квазимонохроматическими
Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11.дифракция быстрых отраженных электронов, метод
EBSD-исследование высокотемпературной макролокализации деформации монокристаллов Ni3Ge в условиях ползучести микроскопии и методом EBSD-анализа (метод дифракции обратно рассеянных электронов). Показано, что полоса
Предложение методики измерения поперечных размеров пучка релятивистских электронов с малым продольным размером электронов для двух расстояний между кристаллом, где генерируется излучение, и координатным детектором
Двумерное квантовое кольцо: влияние магнитного поля на временную динамику волновых функций электроновВ работе получены нестационарные волновые функции электронов двумерного квантового кольца
Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бораПриведены результаты моделирования процессов переноса электронов в трехмерной полупроводниковой
Страница 6 из 6647
Фасеты
Партнеры
Индексация
