Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN

Муравьев, В. В.; Тамело, А. А.; Мищенко, В. Н.; Muraviev, V. V.; Tamelo, A. A.; Mishchenko, V. H.

Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN

Муравьев, В. В., Тамело, А. А., Мищенко, В. Н., Muraviev, V. V., Tamelo, A. A., Mishchenko, V. H.

Дата публикации: 2004

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:38:47Z

Аннотация:

В статье приводятся результаты исследования особенностей переноса электронов в мате- риале GaN. Наиболее общим подходом при моделировании движения электронов в полу- проводниковых структурах является использование уравнения Больцмана, для численного решения которого используется метод Монте-Карло. Определены основные электрофизиче- ские параметры материала GaN, которые необходимы для исследования переноса носителей заряда с использованием метода Монте-Карло. Рассчитаны значения частот рассеяния элек- тронов в материале GaN.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, нитриды, миллиметровые волны, метод Монте-Карло, частоты рассеяния

Тип: Статья