Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 24798

Страница 6 из 2480

Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10; 01.04.02.физика полупроводников

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников

Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников

Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3 : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников

Микроструктура и свойства тонких пленок SnO2, предназначенных для создания сенсоров восстановительных газов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников

Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/AlAs методом численного эксперимента : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников

Элементы оптической электроники на основе соединений А2В4С. . . : получение, свойства и применение : Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.05; 01.04.10.физика полупроводников

Страница 6 из 2480