Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 444

Страница 10 из 45

Нормально закрытый нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе графена и нитрида бора
Волчёк, В. С., Стемпицкий, В. Р.
полевые транзисторы
Графеновый полевой транзистор с использованием гидрированного графена
Мищенко, В. Н.
полевые транзисторы
Трехмерные транзисторы
Спода, А. Е., Дашковский, А. А.
Трехмерные транзисторы
МДП-транзисторы со встроенным каналом
Семененко, Ю. А., Сычик, В. А.
МДП-транзисторы со встроенным каналом
InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
Брудный, Павел Александрович, Великовский, Леонид Эдуардович, Сим, Павел Евгеньевич
НЕМТ, транзисторы
Расчет электростатического полевого транзистора Шоттки при наличии особенности электростатического поля
Нариманова, Гуфана Нурлабековна, Нариманов, Ринат Казбекович
полевые транзисторы
Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
Курчин, Константин Николаевич
транзисторы с высокой подвижностью электронов
Инициация каллусогенеза на зрелых зародышах Picea abies (L.) H. Karst. белорусского происхождения
Константинов, А. В., Кулагин, Д. В., Кусенкова, М. П., Падутов, В. Е.
, способная порождать биполярные структуры, которые в своем развитии повторяют все стадии эмбрионального
Пассивация полевых транзисторов на GaAs
Телеш, Е. В., Достанко, А.П.
полевые транзисторы
Электрический пробой тонких пленок MOSFET транзисторов
Шуринов, К. Г.
MOSFET транзисторы

Страница 10 из 45

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core