InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона

Брудный, Павел Александрович; Великовский, Леонид Эдуардович; Сим, Павел Евгеньевич

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона

Брудный, Павел Александрович, Великовский, Леонид Эдуардович, Сим, Павел Евгеньевич

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2020-05-12T11:51:01Z

Ключевые слова:
НЕМТ, транзисторы, гетероструктуры, температурные испытания материалов

Тип: статьи в сборниках

Источник: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 272-274

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация