Статистическое имитационное моделирование в атмосферно-оптических и акустических приложенияхСтатистическое имитационное
моделирование в атмосферно-оптических и акустических приложениях
Моделирование плазменных эффектов в полупроводниковых гетероструктурах при низких температурах: отчет о НИР (заключ.)Муравьев, В. В.,
Тамело, А. А.,
Кореневский, С. А.,
Шалатонин, В. И.,
Мищенко, В. Н.,
Молодкин, Д. Ф.,
Журавлев, Д. В.,
Матвеев, Д. И.,
Лебедев, В. М. методом
Монте-Карло для исследования плазменных эффектов при низких
температурах. Проведено исследование
Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора которой реализован многочастичный метод
Монте-Карло совместно с решением уравнения Пуассона для
Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния 4H-SiC карбида кремния с использованием метода
Монте-Карло. Использование материала
4H-SiC по
Кубатурные формулы на сетках Коробова со сверхстепенной сходимостью вычисляются методами
Монте-Карло. Эти методы основаны на использовании случайных точек, равномерно
Руководства для лабораторных занятий по курсу «Вычислительные методы и компьютерное моделирование»Руководства для лабораторных занятий по курсу «Вычислительные методы и компьютерное
моделирование»
Моделирование многоостровковых структур, функционирующих на эффекте одноэлектронного туннелированияМоделирование многоостровковых структур, функционирующих на эффекте одноэлектронного туннелирования