Трехмерное моделирование выходных характеристик  GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора

Мищенко, В. Н.; Mishchenka, V. N.

Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазона КВЧ, которые находят широкое применение для создания приемопередающих устройств, усилителей и ряда других приборов. Для моделирования использовалась разработанная программа, в которой реализован многочастичный метод Монте-Карло совместно с решением уравнения Пуассона для трехмерной области приборной структуры. Особенностью моделируемых GaAs транзисторов явился учет особого профиля легирования подзатворной области структуры, который может быть сформирован с помощью ионной имплантации и позволяет улучшить выходные характеристики. Исследование трехмерной структуры из материала GaAs позволило учесть все геометрические размеры структуры и особенности формирования затвора и других контактных областей. В процессе моделирования анализировалось влияние прилагаемого постоянного смещения, особенностей формирования контактных областей структуры и ряд других параметров на выходные характеристики транзисторов.

Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация