По вашему запросу найдено документов: 48783
Страница 2 из 4879
Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа AIIBIVCV2 и AIВIIICVI2 с решеткой халькопирита : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа AIIBIVCV2 и AIВIIICVI2 с решеткой
История организации и становления научного направления по физике полупроводников в Томском университете и Сибирском физко-техническом институтеИстория организации и становления научного направления по физике полупроводников в Томском
Электронно-микроскопическое исследование формирования структуры ванадиевых сплавов при химикотермических и термомеханических обработкахЭлектронно-микроскопическое исследование формирования структуры ванадиевых сплавов при
Электронно-микроскопический анализ градиентной структуры, формирующейся в титане при напылении твердого покрытия многофазной высокодефектной структуры толщиной до 40 мкм. По морфологическому признаку выделены поверхностный
Фоточувствительные структуры на основе пленок широкозонных полупроводников, сформированных золь-гель методомФоточувствительные структуры на основе пленок широкозонных полупроводников, сформированных золь
Влияние дефектной структуры на скорость окисления сплава V-Cr-W-Zr при термической обработке на воздухеВлияние дефектной структуры на скорость окисления сплава V-Cr-W-Zr при термической обработке на
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr : автореферат диссертации
Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких
Структура азотсодержащих многостенных углеродных нанотрубок, подвергнутых облучению импульсным ионным пучком наносекундной длительности : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07.дефектные структуры
Новый метод получения п–р-структуры на основе дефектного полупроводника AgIn5S8Новый метод получения п–р-структуры на основе дефектного полупроводника AgIn5S8
Страница 2 из 4879
Фасеты
Партнеры
Индексация
