Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 48783

Страница 3 из 4879

Дефектные акты органов законодательной и исполнительной властиДефектные акты органов законодательной и исполнительной власти

Характеристики кристаллической структуры и физические свойства пленочных структур на основе медь содержащих халькогенидных полупроводников для оптоэлектроники : отчет о НИР (заключ.)Характеристики кристаллической структуры и физические свойства пленочных структур на основе медь

Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебное пособие : [для студентов старших курсов вузов по направлениям подготовки 03.03.03. – Радиофизика ; Физика, Электроника и наноэлектроника]Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебное пособие : [для студентов

Диффузия примесей в арсениде галлия, диффузные структуры и приборыДиффузия примесей в арсениде галлия, диффузные структуры и приборы

Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции
полупроводниковые структуры многослойные

Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрамилегирование полупроводников примесное

ЭВТЕКТИЧЕСКИЕ КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЭВТЕКТИЧЕСКИЕ КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Арсенид галлиевые структуры для генерации и детектирования терагерцового излучения: научный доклад по направлению подготовки: 01.04.10 - Физика полупроводниковАрсенид галлиевые структуры для генерации и детектирования терагерцового излучения: научный доклад

Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭПроведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией

Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4 × 4) reconstructionповерхности полупроводников

Страница 3 из 4879