Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных полевых МОSFЕТ транзисторовСолодуха, В. А.,
Пилипенко, В. А.,
Горушко, В. А.,
Solodukha, V. A.,
Pilipenko, V. A.,
Gorushko, V. A. диэлектрика на
параметры мощных p- и n-канальных MOSFET
транзисторов.
Установлено, что данная
Верификация методики определения параметров компактной модели GaAs гетеропереходных биполярных транзисторов гетеропереходных биполярных
транзисторов (ГБТ) на основе GaAs. Экстрагированные
параметры обеспечили высокую
Моделирование радиационной стойкости элементов логических КМОП интегральных микросхем-канальных металл-окисел-полупроводник (МОП)
транзисторов – элементов
комплементарных МОП интегральных
Корреляционный анализ в решении задачи поиска информативных параметров транзисторов большой мощности исследования
транзисторов при проведении их ускоренных испытаний на надёжность, а также определить
параметры