Определение информативных параметров методом корреляционного анализа транзисторов на надежность, а также определить
параметры, которые просты в измерении. В качестве метода
Математическая модель деградации функционального параметра изделий электронной техникиНа примере биполярных и полевых
транзисторов (как разновидности ИЭТ) нескольких типов показано, что
Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистораОджаев, В. Б.,
Петлицкий, А. Н.,
Просолович, В. С.,
Турцевич, А. С.,
Шведов, С. В.,
Филипеня, В. А.,
Черный, В. В.,
Явид, В. Ю.,
Янковский, Ю. Н.,
Дубровский, В. А. Исследованы ВАХ МОП-
транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время
Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники : учебное пособие,
параметры и конструкции маломощных и
силовых моно- и гетероструктурных биполярных и полевых
Управление ляпуновским спектром дискретных систем с хаотической динамикой Ляпунова путем введения обратной связи по фазовому вектору.
Параметры регулятора, обеспечивающего