Моделирование радиационной стойкости элементов логических   КМОП интегральных микросхем

Лазарь, А. П.; Коршунов, Ф. П.

Моделирование радиационной стойкости элементов логических КМОП интегральных микросхем

Дата публикации: 2013

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:06:29Z

Аннотация:

Приведено описание программного комплекса для моделирования радиационной стойкости n- и p-канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов – элементов комплементарных МОП интегральных микросхем. Программное обеспечение предназначено для визуализации и анализа результатов измерений вольтамперных характеристик транзисторов, экстракции SPICE-параметров и последующего моделирования их эволюции в зависимости от дозы ионизирующего излучения. Исследовано радиационное поведение МОП транзисторов – элементов микросхем 1554ЛН1 – в поле ионизирующего излучения Со60.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, n- и p-канальные МОП транзисторы, элементы КМОП интегральных микросхем, SPICE-параметры, гамма излучение, вольтамперные характеристики

Тип: Article