Effect of morphology on the phonon thermal conductivity in Si/Ge superlattice nanowiresKhaliava, I. I.,
Khamets, A. L.,
Safronov, I. V.,
Filonov, A. B.,
Takashi Suemasu,
Migas, D. B. thermal conductivity of 〈100〉, 〈110〉, 〈111〉 and 〈112〉-oriented Si/
Ge superlattice nanowires at 300 K
Об электронном переходе и изотопическом эффекте для монокислых молекул Ge⁷²O и Ge⁷⁴OОб электронном переходе и изотопическом эффекте для монокислых молекул
Ge⁷²O и
Ge⁷⁴O
Исследование тонкопленочной системе Ge-Ti-Ge после стационарного отжига плазмой дугового разрядаИсследование тонкопленочной системе
Ge-Ti-Ge после стационарного отжига плазмой дугового разряда
Синтез и исследование теплоемкости RBiGeO5 ( R = Ho, Er, Tm, Yb)Выпускная квалификационная работа по теме «Синтез и
исследование теплоёмкости RBi
GeO5 ( R = Ho, Er
Влияние условий эксплуатации на показатели работы газотурбинной установки PG6111 GEВлияние условий эксплуатации на показатели работы газотурбинной установки PG6111
GE Formation of nanoporous Ge layers by ion implantation at different temperatures of c-Ge substrateThe flat monocrystalline c-
Ge wafers implanted by 108Ag + ions with the energy E = 30 keV, dose D