По вашему запросу найдено документов: 5489
Страница 4 из 549
Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек GeВлияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива
Synthesis and High-Temperature Thermodynamic Properties of the InFeGe2O7 and GdGeGe2O7Synthesis and High-Temperature Thermodynamic Properties of the InFeGe2O7 and GdGeGe2O7
Особенности фазообразования в системе Cd-Ge-AsУстановлены особенности фазообразования в системе Cd–Ge–As при синтезе монокристал-
лов CdGeAs2
Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy of growth parameters. Formation of Ge quantum dots in hut-island form is observed during deposition of Ge
Расчет параметров фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/SiРасчет параметров фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
REVIEW OF THE BOOK: China’s Initiatives: Responses to an Uncertain World. Chief Editor Su Ge. Beijing: World Affairs Press, 2017. 454 pREVIEW OF THE BOOK: China’s Initiatives: Responses to an Uncertain World. Chief Editor Su Ge
Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок Si, Ge, GeSi, выращенных методом МЛЭ: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 12.03.03 - Фотоника и оптоинформатикаМоделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок Si, Ge, GeSi, выращенных
Дифракция быстрых электронов при эпитаксиальном росте Ge, GeSi на подложках Si(100), Si(111): выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 12.03.05 - Лазерная техника и лазерные технологииДифракция быстрых электронов при эпитаксиальном росте Ge, GeSi на подложках Si(100), Si(111
Страница 4 из 549
Фасеты
Партнеры
Индексация
