Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора которой реализован многочастичный
метод
Монте-Карло совместно с решением уравнения Пуассона для
Многомерные кубатуры на последовательностях Соболя одномерных сеточных формул, классический
метод Монте-Карло с псевдослучайными точками и последовательности
Математическое моделирование и современные проблемы наук о материалах и процессахУчеб.-
метод. пособие [для студентов напр.150100.68 «Материаловедение и технологии материалов»].
Моделирование плазменных эффектов в полупроводниковых гетероструктурах при низких температурах: отчет о НИР (заключ.)Муравьев, В. В.,
Тамело, А. А.,
Кореневский, С. А.,
Шалатонин, В. И.,
Мищенко, В. Н.,
Молодкин, Д. Ф.,
Журавлев, Д. В.,
Матвеев, Д. И.,
Лебедев, В. М. методом
Монте-Карло для исследования плазменных эффектов при низких
температурах. Проведено исследование
Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графена моделирования с использованием метода
Монте Карло получить основные характеристики переноса носителей
Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния 4H-SiC карбида кремния с использованием метода
Монте-Карло. Использование материала
4H-SiC по
Экспериментальные и модельные исследования приземного распространения акустического излучения в атмосфереБелов, Владимир Васильевич,
Буркатовская, Юлия Борисовна,
Раков, Александр Сергеевич,
Раков, Денис Сергеевич,
Шаманаева, Людмила Григорьевна,
Красненко, Николай Петрович источника и приемника. Расчет проводился методом
Монте-Карло с использованием алгоритма локальной оценки по
Эффекты рассеяния электронов в гексогональном нитриде бора полученные характеристики, становится возможной реализация статистического многочастичного метода
Монте