Материалов:
1 081 645

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 264

Страница 3 из 27

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)

Гидрохимические фации подземных вод из нижней перми на южном окончании Вятского вала

ВНЕШНЕЭКОНОМИЧЕСКАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН

Обработка геолокационных данных песчаных земных покровов

Двумерные материалы на основе элементов группы IIIA: развитие эпитаксиальных методов синтеза

Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием

Новые двумерные графеноподобные материалы и гетероструктуры

Страница 3 из 27