По вашему запросу найдено документов: 2058
Страница 3 из 206
Выращивание монокристаллов CuIn13S20 и структуры на их основе ячеек электролит/CuIn13S20. Указана возможность применения монокристаллов CuIn13S20 в широкополосных
Выращивание и свойства монокристаллов MnIn5S8.5. Определен состав полученных монокристаллов, структура и параметр элементарной ячейки.
Выращивание и свойства монокристаллов Cu2ZnSnS4–11]. В настоящей
работе представлены результаты выращивания монокристаллов соединения Cu2ZnSnS4
Выращивание и свойства полупроводниковых монокристаллов твердых растворов (In2S3)x•(AgIn5S8)1-x выращивания гомогенных и оптически однородных монокристаллов твердых растворов (In 2 S 3 )х ·(AgIn 5 S 8
Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4 10−320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина
Выращивание, структура и спектры пропускания монокристаллов Agin7S11 определен состав полученных монокристаллов, а также приведено сравнение с расчетными данными
Получение кремния полупроводниковой чистоты. Методы выращивания монокристалловРассмотрен способ получения кремния полупроводниковой чистоты и выращивание монокристаллов, для
Выращивание монокристаллов Cu2ZnGeS4Выращивание монокристаллов Cu2ZnGeS4
Выращивание и свойства монокристаллов тройных соединений FeIn2S4, CuIn5S8 и твердых растворов (FeIn2S4)1-x•(CuIn5S8)xВыращивание и свойства монокристаллов тройных соединений FeIn2S4, CuIn5S8 и твердых растворов (Fe
Страница 3 из 206
Фасеты
Партнеры
Индексация
