Эпитаксиальные пленки селенида цинка на пористом кремнии позволяет
повысить качество пленок по сравнению с пленками, осажденными на монолитный
кремний Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на
кремнии. Показано, что
Температурная зависимость величины барьера Шоттки в гетеропереходе графен-кремнийКомиссаров, И. В.,
Данильчик, А. В.,
Ковальчук, Н.Г.,
Дронина, E. А.,
Луценко, Е. В.,
Прищепа, С. Л. режиме гетероперехода
графен – n-
кремний, в диапазоне температур 10–300 К.
Расчет энтальпии реакций окисления и стехиометрического соотношения кремний/окислитель в объеме пористого кремнияДолбик, А. В.,
Ковалевский, А. А.,
Лазарук, С. К.,
Dolbik, A. V.,
Kovalevsky, A. A.,
Lazarouk, S. K. . Получено аналитическое выражение соотношения
кремний/окислитель в зависимости от пористости и степени