Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 175247

Страница 6 из 17525

Углеродные нанотрубки для сверхбыстродействующих транзисторов – элементной базы информационных систем будущего поколения) при атмосферном давлении, с целью использования в качестве каналов МОП-транзисторов.

Устройство для измерения напряжения отсечки полевых транзисторов транзисторов и других усилительных элементов.

Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов отказов биполярных транзисторов. В качестве имитационного фактора обычно используют температуру.

Конструктивно-технологические особенности MOSFET -транзисторов полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Определены оптимальные варианты конструктивно

Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графенаРассмотрены вопросы моделирования выходных характеристик полевых транзисторов с использованием

Поиск информативных параметров для прогнозирования индивидуальной надежности транзисторов большой мощностиОбосновывается задача исследований по поиску информативных параметров для транзисторов большой

Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвораРассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазонов СВЧ

Разработка и макетирование технических решений для создания многомодульного зарядно-разрядного устройства из состава энергопреобразующей аппаратуры перспективных космических аппаратов-разрядного устройства из состава энергопреобразующей аппаратуры перспективных космических аппаратов

Полупроводниковая электроника, параметры и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов, элементы

Метод частотного регулирования трехфазного электропривода на основе преобразователя частоты и асинхронного электродвигателяВ работе описывается один из методов регулирования электроприводов, основанный на работе

Страница 6 из 17525