Конструктивно-технологические особенности MOSFET -транзисторов полупроводниковых полевых
транзисторов (MOSFET). Определены оптимальные варианты конструктивно
Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графенаРассмотрены вопросы моделирования выходных характеристик полевых
транзисторов
с использованием
Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвораРассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs
транзисторов
диапазонов СВЧ
Полупроводниковая электроника, параметры и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных и полевых
транзисторов, элементы