Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

По вашему запросу найдено документов: 175242

Страница 4 из 17525

Применение и выбор полевых транзисторов в схемах преобразователей электрической энергииПрименение и выбор полевых транзисторов в схемах преобразователей электрической энергии

Моделирование двухзатворных полевых транзисторов на основе графенаМоделирование двухзатворных полевых транзисторов на основе графена

Моделирование МДП-транзисторов на основе квазидвумерных кристалловМоделирование МДП-транзисторов на основе квазидвумерных кристаллов

Термическая нестабильность полевых транзисторов с затвором ШотткиТермическая нестабильность полевых транзисторов с затвором Шоттки

Термическая нестабильность МОП транзисторовТермическая нестабильность МОП транзисторов

КОНКРЕТНЫЕ ПРАВОВЫЕ ОТНОШЕНИЯ И ПРАВОРЕАЛИЗАЦИЯ // Ученые записки КФУ. Гуманитарные науки 2009 N4В статье исходя из реалий практики анализируются дискуссионные положения теории права: 1) виды

Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхемУчебное пособие «Полупроводниковые приборы и эелементы интегральных микросхем» состоит из

Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем : учебное пособие : в 2 ч. Ч. 1 : Физика активных элементов интегральных микросхемУчебное пособие «Полупроводниковые приборы и эелементы интегральных микросхем» состоит из двух

Деградация характеристик МОП-структур в условиях накопления заряда в подзатворном диэлектрике на основе двуокиси кремнияДеградация характеристик МОП транзисторов, связанная с ухудшением свойств подзатворного диэлектрика

Прогнозирование надежности изделий электронной техники по постепенным отказам методом имитационных воздействий исследования выборки транзисторов интересующего типа) получать имитационную модель в виде функции пересчета

Страница 4 из 17525