Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 48555

Страница 6 из 4856

Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналом
Маковская, Т. И., Кривошеева, А. В., Шапошников, В. Л., Данилюк, А. Л.
характеристик такой структуры с учетом выявленных взаимосвязей. Расчеты по предложенным моделям выполнены для 2D
Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора
Оджаев, В. Б., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С., Турцевич, А. С., Шведов, С. В., Филипеня, В. А., Черный, В. В., Явид, В. Ю., Янковский, Ю. Н., Дубровский, В. А.
Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время
Химическое и физическое осаждение серебра на кремниевые нанонити для поверхностно-усиленной Рамановской спектроскопии
Клименко, А. В., Гурбо, А. Д.
Ввиду своих оптических, физических и химических характеристик кремниевые нанонити представляют
Структура GaN транзисторов
Бондарев, А. А.
Предоставленные материалы направлены на изучение структуры современного решения высокоэффективных
Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем
Коршунов, Ф. П., Богатырев, Ю. В., Белоус, А. И., Шведов, С. В., Малышев, В. С., Ластовский, С. Б., Карась, В. И., Гуринович, В. А.
(МОП)-структур, а также n- и р-канальных МОП-транзисторов (МОПТ): элементов субмикронных (0
Кремниевые фотоприемники с внутренним усилением широкого спектра применения
Сорока, С. А., Залесский, В. Б., Малютина-Бронская, В. В., Лемешевская, А. М., Солодуха, В. В.
Кремниевые фотоприемники с внутренним усилением широкого спектра применения
Молекулярно-динамическое исследование теплопроводности квазиодномерных кремниевых полипризманов
Цыденов, Кирилл Андреевич
температуры, а также разности температур на концах полипризмана. Установлено, что кремниевые полипризманы
Влияние гамма-излучения на параметры различных транзисторных МОП-структур — элементов интегральных микросхем
Коршунов, Ф. П., Богатырев, Ю. В., Белоус, А. И., Шведов, С. В., Ластовский, С. Б., Кульгачев, В. И., Korshunov, F. P., Bogatyrev, Y. V., Belous, A. I., Shvedov, S. V., Lastovsky, S. B., Kulgachev, V. I.
Рассмотрено влияние гамма-излучения на параметры тестовых n-канальных транзисторных МОП
Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками
Соловьев, Я. А.
характеристики диодов Шоттки с канавочной структурой металл – окисел – полупроводник (МОП), учитывающей
Numerical simulation of electric characteristics of deep submicron silicon-on-insulator MOS transistor
Borzdov, A. V., Borzdov, V. M., Dorozhkin, N. N.
На сегодняшний день субмикронные МОП-транзисторные структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) широко

Страница 6 из 4856

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core