По вашему запросу найдено документов: 70907
Страница 6 из 7091
Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xТеПредставлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xTe
Новые активные среды для перестраиваемых твердотельных лазеров, излучающих в диапазоне 2-3 мкмОбъект исследования - кристаллы Cr:CdxMn1-xTe (Cr:CMT) (х=0,85-0,55) и Cr:CdSe. Цель работы
Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно
Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучениемИсследованы электрофизические характеристики МДП-структур на основе Cdx Hg1-xTe до и после
High-sensitive two-layer photoresistors based on р-CdxHg1-HGxTe with a converted near-surface layer based on р-Cd x Hg1–xTe (x = 0.24−0.28) with a thin near-surface layer of n-type obtained by treatment
Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band semiconductors caused by soft X-ray radiation source in CdxHg1-xTe solid solutions are considered. The possibility of a contribution from
Модули упругости твердых растворов CdxHg1–xТe ультразвука для монокристаллов CdxHg1–xTe. Получены значения упругих модулей и температур Дебая для различных
Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области адмиттансные характеристики МДП-структуры, на основе nBn из Hg1-XCdXTe, выращенных методом МЛЭ со сверхрешеткой
Страница 6 из 7091
Фасеты
Партнеры
Индексация
