По вашему запросу найдено документов: 1081645
Страница 1 из 108165
Stabilizing effect of α-Cr2O3 on highly active phases and catalytic
performance of a chromium alumina catalyst in the process of
isobutane dehydrogenation porous system, the
contribution of α-Cr2O3 particles to the state of the active phase and the catalytic
Stabilizing effect of α-Cr2 O3 on highly active phases and catalytic performance of a chromium alumina catalyst in the process of isobutane dehydrogenation porous system, the contribution of α-Cr2O3 particles to the state of the active phase and the catalytic
Electrical properties of α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire with α-Cr2O3 buffers epitaxy (HVPE) at 500 °C on α-Cr2O3 buffers predeposited on sapphire by magnetron sputtering. The α-Cr2O3
HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layerGallium oxide films were grown by HVPE on (0001) sapphire substrates with and without α-Cr2O3
Effects of sapphire substrate orientation on Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy using α-Cr2O3 buffers-sapphire and on (10-12) r-sapphire substrates with and without α-Cr2O3 thin buffers prepared by magnetron sputtering
Композиты TiO2 /Cr2O3 сферической формы, синтезированные с применением ионообменных смол в качестве темплата была выбрана в качестве темплата. Полученные композиты состоят в основном из фазы α-Cr2O3, содержание
Фазовые превращения при кристаллизации Sr2CrMoO6−δ стехиометрической смеси простых оксидов SrCO 3 + 0,5Cr 2 O 3 + MoO. Установлено, что фазообразование
Гидроксокомплексообразование в системах Cr{3+} - Hg{2+} - NO[3]{-} - H[2]O и Cr{3+} - Cd{2+} - NO[3]{-} - H[2]O]{-} - H[2]O и Cr{3+} - Cd{2+} - NO[3]{-} - H[2]O. Установлено отсутствие гетероядерного гидроксильного
Exchange Interactions in the Cr3+–Cr3+ Ion Pair in the ABO3 (A = Ga, In, Sc) Diamagnetic Matrix (Обменные взаимодействия в паре ионов Cr3+−Cr3+ в диамагнитной матрице ABO3 (A = Ga, In,Sc))The exchange interactions in the Cr3+–Cr3+ ion pairs in the isostructural ABO3 (A = Ga, In, Sc
Вакуумно-технологическое оборудование для напыления слоев Ti, Ni, Ag, Cr, Cr2O3Вакуумно-технологическое оборудование для напыления слоев Ti, Ni, Ag, Cr, Cr2O3
Страница 1 из 108165
Фасеты
Партнеры
Индексация
