Electrical properties of α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire with α-Cr2O3 buffers - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

Electrical properties of α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire with α-Cr2O3 buffers

Polyakov, Alexander, Nikolaev, Vladimir I., Stepanov, Sergey I., Almaev, Aleksei V., Pechnikov, Aleksei I., Yakimov, Eugene, Kushnarev, Bogdan O., Shchemerov, Ivan, Scheglov, Mikhail P., Chernykh, Alexey, Vasilev, Anton, Kochkova, Anastasia, Pearton, Stephen J.

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2023-04-03T13:52:55Z

Аннотация:

Ключевые слова:
электрические свойства, газофазная эпитаксия, галогениды

Тип: статьи в журналах

Источник: Journal of applied physics. 2022. Vol. 131, № 21. P. 215701-1-215701-8

Связанные документы (рекомендация CORE)