По вашему запросу найдено документов: 485416
Страница 1 из 48542
Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути. Представлены результаты исследований темнового тока и адмиттанса nBn-структур, а также адмиттанса тестовых МДП
Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe HgCdTe, а также сравнение результатов расчётов с результатами экспериментальных исследований их
Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением воздействие рентгеновского излучения приводит к увеличению концентрации основных носителей заряда, а также
В. НЕСМЕЛОВ И И. КАНТ: АНТРОПОЛОГИЯ ТЕИСТИЧЕСКАЯ И ТРАНСЦЕНДЕНТАЛЬНАЯВ. НЕСМЕЛОВ И И. КАНТ: АНТРОПОЛОГИЯ ТЕИСТИЧЕСКАЯ И ТРАНСЦЕНДЕНТАЛЬНАЯ
Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии исследованных образцов изменялся от от 0.74 до 0.83, а толщина этого слоя – от 210 до 300 нм. Экспериментальные
Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe-систем имеют высокочастотный вид в широком диапазоне условий измерения, а произведение дифференциального
Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te-диэлектрик-полупроводник изготовлены на основе исходной пленки HgCdTe, пленки после имплантации, а также пленки после имплантации и
Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барьерном слое
Страница 1 из 48542
Фасеты
Партнеры
Индексация
