По вашему запросу найдено документов: 8369
Страница 1 из 837
Влияние воздействия термического отжига на дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора ионов фосфора
Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия и фосфораВ настоящей работе методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с
Анализ химического состава поверхностного слоя графита, модифицированного ионно-ассистируемым осаждением молибдена ассистирования ионами Мо+. Анализ выполнен с применением методов резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия
Определение композиционного состава и химических связей элементов металлсодержащего (Zr) покрытия, осажденного на эластомер в условиях ионного ассистирования ассистирования ионами Zr+. Анализ выполнен с применением методов резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия
Влияние параметров осаждения на толщину модифицированного слоя при динамическом атомном перемешивании Pd/Fe-структурМетодом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием
Элементный анализ поверхностных структур, полученных ионно-ассистируемым осаждением на сталь 40Х покрытий на основе Ti, Cr, W резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием, методом резонансных
Изучение поверхности структур металл - титан, полученных ионно-ассистируемым нанесением металлсодержащих покрытий рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием.
Исследования показали, что на поверхности
Элементный состав структуры Cu/Al, сформированной динамическим атомным перемешиваниемВ данной работе с помощью резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с
Изучение композиционного состава покрытий на основе W, сформированных на стали 40Х методом ионно-ассистированного осажденияИсследованы методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным
Элементный состав и микротвердость структур Mo-W/Al, Ti-Mo-W/Al, сформированных последовательным осаждением покрытий-ассистированного осаждения в условиях саморадиации. С помощью резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с
Страница 1 из 837
Фасеты
Партнеры
Индексация
