Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctionsTimofeev, V. A.,
Nikiforov, Alexander I.,
Mashanov, V. I.,
Tuktamyshev, A. R.,
Loshkarev, I. D.,
Kokhanenko, Andrey P. Results of investigations into the synthesis of heterostructures based on
Ge–Si–Sn materials
LINGUISTIC AND CULTURAL IDENTITY IN THE SPEECHES OF BRITISH AND CHINESE POLITICIANS Cameron, Li Keqiang and Xi
Jingping speeches. The given study was conducted with the implementation
Solid-state synthesis and characterization of ferromagnetic Mn5Ge3 nanoclusters in GeO/Mn thin filmsMyagkov, V. G.,
Matsynin, A. A.,
Bykova, L. E.,
Zhigalov, V. S.,
Mikhlin, Y. L.,
Velikanov, D. A.,
Aleksandrovsky, A. S.,
Bondarenko, G. N. Mn5
Ge3 films are promising materials for spintronic applications due to their high spin
Лазерно-индуцированные процессы в структурах a-Ge/GeЛазерно-индуцированные процессы в структурах a-
Ge/Ge Effect of morphology on the phonon thermal conductivity in Si/Ge superlattice nanowiresKhaliava, I. I.,
Khamets, A. L.,
Safronov, I. V.,
Filonov, A. B.,
Takashi Suemasu,
Migas, D. B. thermal conductivity of 〈100〉, 〈110〉, 〈111〉 and 〈112〉-oriented Si/
Ge superlattice nanowires at 300 K
Об электронном переходе и изотопическом эффекте для монокислых молекул Ge⁷²O и Ge⁷⁴OОб электронном переходе и изотопическом эффекте для монокислых молекул
Ge⁷²O и
Ge⁷⁴O
Исследование тонкопленочной системе Ge-Ti-Ge после стационарного отжига плазмой дугового разрядаИсследование тонкопленочной системе
Ge-Ti-Ge после стационарного отжига плазмой дугового разряда