Получение функциональных слоев на основе ZnO методом Silar ионного наслаивания (Successive Ionic Layer Adsorbtion and Reaction,
SILAR). Осаждение пленок проводилось
Сравнительная морфология и фотолюминесценция пленок ZnO, полученных методами SILAR и вакуумного напыленияДенисюк, С. В.,
Куданович, О. Н.,
Мухуров, Н. И.,
Ходин, А. А.,
Уткина, Е. А.,
Меледина, М. В.,
Таболич, А. А. Получены функциональные слои оксида цинка на подложках из анодного оксида алюминия методами
SILAR Photosensitive sulphide heterostructures obtained by using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction on planar and profiled substratesBogomazova, N. V.,
Gorokh, G. G.,
Zakhlebayeva, A.,
Pligovka, A. N.,
Murashkevich, A.,
Galkovsky, T. and Reaction
method on the nanoporous anodic alumina matrixes, on tantalum oxide nanocolumns and on planar ITO
Multicomponent Sn–Mo–O-containing films formed in anodic alumina matrixes by ionic layer deposition formed by successive ionic layer adsorption and reaction (
SILAR)
method deposition into anodic
alumina
Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом SILARОсобенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом
SILAR Multicomponent Sn-Mo-O-containing films formed in anodic alumina matrixes by ionic layer depositionZakhlebayeva, A. I.,
Lozovenko, A. A.,
Gorokh, G. G.,
Захлебаева, А. И.,
Лозовенко, А. А.,
Горох, Г. Г. formed by successive ionic layer adsorption and reaction (
SILAR)
method deposition into anodic alumina
Тонкопленочные полупроводники Cu2ZnSnS4(CZTS) И SnSx для фотовольтаики и LiFi систем передачи данных послойного химического осаждения (
SILAR метод) для получения тонких пленок полупроводников SnSx, CZTS.