Материалов:
1 081 645

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 322913

Страница 1 из 32292

Бессвинцовая припойная композиция для сборки полупроводниковых приборов
Ланин, В. Л., Керенцев, А. Ф., Турцевич, А. С., Lanin, V. L., Kerentsev, A. F., Turtsevich, A. S.
Device and technology simulation of IGBT on SOI structure
Lovshenko, I. Yu., Nelayev, V. V., Belous, A. I., Turtsevich, A., Ловшенко, И. Ю., Нелаев, В. В., Белоус, А. И.
Пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернами
Турцевич, А. С., Ануфриев, Л. П., Наливайко, О. Ю., Лесникова, В. П., Turtsevich, A. S., Anufriev, L. P., Nalivaiko, O. Y., Lesnikova, V. P.
Thin-Film Capacitor Based on the Strontium Titanate Formed by the Sol Gel Technique
Anaraki, H., Gaponenko, N. V., Rudenko, M. V., Kolos, V. V., Petlitskii, A. N., Turtsevich, A. S., Гапоненко, Н. В., Руденко, М. В., Колос, В. В., Петлицкий, А. Н., Турцевич, А. С.
A thin-film ferroelectric capacitor was produced on a silicon substrate. A multilayer strontium
Ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate
Golosov, D. A., Zavadski, S. M., Кolos, V. V., Turtsevich, A. S.
subjected to a subsequent annealing at temperatures of 970–1070 K in an O2 atmo-sphere.
Influence of the annealing temperature on the ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate
Golosov, D. A., Zavadski, S. M., Kolos, V. V., Turtsevich, A. S., Okodzhi, D. E.
current 10–6 A/cm2 are obtained at the annealing temperature of 800°C. The dielectric constant and loss
Особенности применения проекционной фотолитографии при производстве силовых биполярных интегральных микросхем
Коробко, Ю. О., Достанко, А. П., Турцевич, А. С., Korobko, Y. O., Dostanko, A. P., Turtsevich, A. S.
Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники
Турцевич, А. С., Соловьев, Я. А., Ануфриев, Д. Л., Мильчанин, О. В., Turtsevich, A. S., Solovjov, J. A., Anufriev, D. L., Milchanin, O. V.
Сегнетоэлектрические свойства SBT-пленок, синтезированных золь-гель методом
Сидский, В.В., Семченко, А.В., Гайшун, В.Е., Колос, В.В., Турцевич, А.С., Сорока, С.А., Асадчий, А.Н., Sidsky, V.V., Semchenko, A.V., Gaishun, V.E., Kolos, V.V., Turtsevich, A.S., Soroka, S.A., Asadchiy, A.N.
in the structural formula of SBT-material leads to a structural change, and therefore the ferroelectric properties
Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукцией
Лагунович, Н. Л., Борздов, В. М., Турцевич, А. С., Lagunovich, N. L., Borzdov, V. M., Turtsevich, A. S.

Страница 1 из 32292

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core