Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 56765

Страница 15 из 5677

Методы получения и исследование физико-химических и магнитных свойств полупроводниковых монокристаллов соединений группы MⅡB2ⅢC4Ⅵ и твердых растворов на их основе : монография
Боднарь, И. В., Хорошко, В. В., Фещенко, А. А.
для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники и аспирантов
Многослойные токопроводящие пленки полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Емельянов, В. А., Баранов, В. В., Емельянов, В. В., Emelyanov, V. A., Baranov, V. V., Emelyanov, V. V.
использованы при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. The stress
Оценка размеров топографических дефектов полупроводниковых кремниевых структур
Сенько, С. Ф., Зеленин, В. А.
Влияние неплоскостности полупроводниковых пластин на характеристики изготавливаемых приборов
Разработка методов исследования математических моделей немарковских систем обслуживания с неограниченным числом приборов и непуассоновскими входящими потоками : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 05.13.18.
Моисеева, Светлана Петровна
неограниченным числом приборов и непуассоновскими входящими потоками : диссертация на соискание ученой степени
Исследование системы с параллельным поступлением кратных заявок с повторным обращением и неограниченным числом обслуживающих приборов
Лисовская, Екатерина Юрьевна
неограниченным числом обслуживающих приборов
Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами фтора
Мищенко, В. Н.
.Создание современных полупроводниковых приборов требует внедрения новых материалов. Графен – один из них, вызывающий
Разработать экспериментальные методы и физико-математические модели для оценки температурных эффектов в полупроводниковых приборах при мощных импульсных электрических перегрузках : отчет о НИР (заключ.)
Образцов, Н. С., Пинаев, А. И., Алексеев, В. Ф., Алефиренко, В. М., Баранов, В. В., Боровиков, С. М., Галузо, В. Е., Жагора, Н. А., Каленкович, Н. И., Матюшков, В. Е., Пачинин, В. И., Пинаев, А. И., Полубок, В. А., Ролич, О. Ч., Таболич, Т. Г., Цырельчук, И. Н., Шокурова, А. П., Borovikov, S. M.
Разработать экспериментальные методы и физико-математические модели для оценки температурных
Моделирование рассеяния электронов на ионизированной примеси в полупроводниках и полупроводниковых структурах методом Монте-Карло
Сперанский, Д. С., Борздов, В. М., Поздняков, Д. В.
численном моделировании электрофизических свойств полупроводников и полупроводниковых структур методом
Топологически-ориентированный подход к выбору метода моделирования прозрачности гетероструктурных каналов наноэлектронных приборов
Шашурин В.Д., Ветрова Н.А., Куимов Е.В., Пчелинцев К.П., Александров А.С.
наноэлектронных гетероструктурных приборов с поперечным транспортом на основе полупроводниковых сверхрешеток.
Корреляционный анализ в решении задачи поиска информативных параметров транзисторов большой мощности
Казючиц, В. О., Шнейдеров, Е. Н., Kaziuchyts, V. O., Shneiderov, E. N.
Для индивидуального прогнозирования надёжности мощных полупроводниковых приборов необходимо знать

Страница 15 из 5677

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core