Материалов:
1 081 645

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 1963

Страница 3 из 197

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович, Копьев, Виктор Васильевич
Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1
Веревкин, Сергей Сергеевич, Колин, Николай Георгиевич, Корулин, Алексей Викторович, Брудный, Валентин Натанович
Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2
Титов, Константин Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович
Моделирование GaN HEMT - транзистора с использованием программного пакета Sentaurus TCAD: магистерская диссертация по направлению подготовки: 03.04.02 - Физика
Курчин, Константин Николаевич
Исследование радиационных дефектов в кристаллах GaSe методами оптической спектроскопии и спектроскопии глубоких уровней: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.02 - Физика
Онищенко, Николай Иванович
Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете
Брудный, Валентин Натанович, Ивонин, Иван Варфоломеевич, Толбанов, Олег Петрович, Войцеховский, Александр Васильевич
Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
Брудный, Валентин Натанович, Кривов, Михаил Алексеевич (научный руководитель)
Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs
Горлачук, Павел Владимирович, Рябоштан, Юрий Леонидович, Брудный, Валентин Натанович, Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Лелеков, Михаил Александрович, Мармалюк, Александр Анатольевич
Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
Романов, Иван Сергеевич, Прудаев, Илья Анатольевич, Брудный, Валентин Натанович
Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики
Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович, Копьев, Виктор Васильевич, Новиков, Вадим Александрович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Курешов, Владимир Александрович, Сабитов, Дамир Равильевич, Мазалов, Александр Владимирович, Прудаев, Илья Анатольевич

Страница 3 из 197

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core