Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 56765

Страница 2 из 5677

Определение эффективности моделей прогнозирования надёжности полупроводниковых приборов методом статистического имитационного моделирования
Русак, И. В.
моделей прогнозирования надёжности полупроводниковых приборов для заданной наработки по результатам
Электроснабжение завода полупроводниковых приборов
Кондратьев, Е. В.
Электроснабжение завода полупроводниковых приборов
Прогнозирование надёжности полупроводниковых приборов по значениям их информативных параметров
Казючиц, В. О.
В докладе приводятся основные проблемы прогнозирования надёжности полупроводниковых приборов
Анализ электромагнитной восприимчивости полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Титович, А. Н.
характеристики и параметры p-n-перехода и биполярного транзистора (БТ). Разработанные точные модели воздействия
Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий
Боровиков, С. М., Бересневич, А. И., Шалак, А. В., Borovikov, S. M., Berasnevich, A. I., Shalak, A. V.
Прогнозирование функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных
Расчет и проектирование полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем. Физика полупроводниковых приборов (часть 4) : метод. указания и контр. задания для студентов специальностей I-42 01 01 «Микро- и наноэлектр. технологии и системы» и I-42 01 03 «Квант. информ. системы» заоч. и дистанц. форм обучения
Пачинин, В. И.
Расчет и проектирование полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем. Физика
Построение аппроксимации интенсивности отказов полупроводниковых приборов
Каримов, С. Я., Гундина, М. А.
Построение аппроксимации интенсивности отказов полупроводниковых приборов
Особенности оборудования для присоединения кристаллов при сборке полупроводниковых приборов
Хролович, А. Л., Суровой, С. Н.
Особенности оборудования для присоединения кристаллов при сборке полупроводниковых приборов
Модель прогнозирования времени тестирования компьютерной программы автоматизированной оценки надежности полупроводниковых приборов
Казючиц, В. О., Боровиков, С. М., Шнейдеров, Е. Н.
основе полученной модели построена номограмма с двумя бинарными полями, позволяющая быстро определить
Метод повышения чувствительности измерителей параметров высоковольтных полупроводниковых приборов
Жданович, А. А.
-амперных характеристик высоковольтных полупроводниковых приборов.

Страница 2 из 5677

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core