По вашему запросу найдено документов: 19828
Страница 3 из 1983
Синтез и магнитные свойства твердых растворов In1 – x Gax Sb〈Mn〉. Установлено, что в образцах состава In0.95Ga0.05Sb〈Mn〉 и In0.05Ga0.95Sb〈Mn〉 образуется однородный твердый
Novel InGaSb/AlP quantum dots for non-volatile memories storage (10 years). In the present work, the hole states’ energy spectrum in novel InGaSb/AlP SAQDs
Synthesis and magnetic properties of solid solutions In1–xGaxSb〈Mn〉Manganese-doped solid solutions In1–x Ga x Sb (x = 0.05, 0.1, 0.5, 0.9, 0.95) were synthesized
Sb- and Bi-doped Mg2Si: Location of the dopants, micro- and nanostructures, electronic structures and thermoelectric propertiesSb- and Bi-doped Mg2Si: Location of the dopants, micro- and nanostructures, electronic
Синтез, электрические и магнитные свойства пленок эвтектического состава системы GaSb–MnSb пленок эвтектического состава системы GaSb-MnSb толщиной 80–130 нм,
полученных импульсным лазерным
MICROSTRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF CENTAUR CRYSTAL GaSe:AgGaS2MICROSTRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF CENTAUR CRYSTAL GaSe:AgGaS2
Особенности электронного строения кристаллов Ga2AsSbОсобенности электронного строения кристаллов Ga2AsSb
On the electronic properties of GaSb irradiated with reactor neutrons and its charge neutrality levelThe electronic properties and the limiting position of the Fermi level in p-GaSb crystals
Role of edge facets on stability and electronic properties of III–V nanowiresResults of our ab initio calculations of <111>-oriented GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs and InSb
Страница 3 из 1983
Фасеты
Партнеры
Индексация
