Пьезооптические свойства полупроводниковых кристаллов со структурой алмаза и цинковой обманки,
GaP, InP,
GaAs, InAs, Al
Sb,GaSb, In
Sb. Результаты расчетов подтверждены данными экспериментов
Fermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated GaSbFermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated
GaSb Magnetotransport properties of InSb-MnSb nanostructured filmsHybrid nanostructured In
Sb - Mn
Sb films were obtained by the pulsed laser deposition using
Структурные изменения в гетероэпитаксиальных пленках InSb после воздействия высокоэнергетических ионов Kr гетероэпитаксиальных пленках In
Sb на монокристаллических пластинах
GaAs возникают
значительные макро- и микронапряжения