Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 23721

Страница 3 из 2373

Химическое строение покрытий, осажденных при активации гексаметилдисилоксана в тлеющем разряде в потоке газа
Зуза, Даниил Александрович, Нехорошев, Виталий Олегович, Батраков, Александр Владимирович, Курзина, Ирина Александровна
: полиметилсилоксан-подобная структура, сшитая алифати-ческими углеводородными звеньями с высоким (C/Si = 9,4) и
Синхронизированные пикосекундные лазерные и наносекундные электронные пучки и их применение для исследования фундаментальной люминесценции диэлектриков : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07.
Пальянов, Павел Аркадьевич, Вайсбурд, Давид Израйлевич (научный руководитель)
радиолюминесценция пикосекундная CsI
Oscillatory free induction decay in angular distribution of nuclear radiation
Shakhmuratova L.
Study of silicon surface implanted by silver ions
Stepanov A., Nuzhdin V., Valeev V., Vorobev V., Rogov A., Osin Y.
© 2018 Elsevier Ltd Ag+-ion implantation of single-crystal c-Si at low-energy (E = 30 keV) high
EPR, ESE and pulsed ENDOR study of nitrogen related centers in 4H-SiC wafers grown by different technologies
Kalabukhova E., Lukin S., Savchenko D., Mitchel W., Greulich-Weber S., Gerstmann U., Pöppl A., Hoentsch J., Rauls E., Rozentzveig Y., Mokhov E., Syväjärvi M., Yakimova R.
), physical vapor transport (PVT) and modified Lely method. Depending on the C/Si ratio and the growth
Microscopic Examination of the Silicon Surface Subjected to High-Dose Silver Implantation
Vorob’ev V., Rogov A., Osin Y., Nuzhdin V., Valeev V., Eidel’man K., Tabachkova N., Ermakov M., Stepanov A.
into single-crystalline Si wafers (c-Si) with an implantation dose varying from 1.25 × 10 15 to 1.5 × 10 17
Extraction of Cesium-137 and Americium-241 by Calix[n]arenes from Carbonate-Alkaline Media
efficient extractants for Cs(I) cations, while it was p-tert-butylthiacalix[4]arene for and americium
EPR, ESE and pulsed ENDOR study of nitrogen related centers in 4H-SiC wafers grown by different technologies
Kalabukhova E., Lukin S., Savchenko D., Mitchel W., Greulich-Weber S., Gerstmann U., Pöppl A., Hoentsch J., Rauls E., Rozentzveig Y., Mokhov E., Syväjärvi M., Yakimova R.
), physical vapor transport (PVT) and modified Lely method. Depending on the C/Si ratio and the growth
Оценка удовлетворенности потребителей услугами метрополитена
Берлович, Т. И., Спесивцева, Ю. Б.
оценки удовлетворенности потребителей с помощью индекса CSI. Предложены направления развития
Маркетинговые исследования удовлетворенности потребителей
Павловская, Д. М.
. Применение таких методов, как CSI и NPS, позволяет получить ценную информацию о степени удовлетворенности

Страница 3 из 2373

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core