Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистораОджаев, В. Б.,
Петлицкий, А. Н.,
Просолович, В. С.,
Турцевич, А. С.,
Шведов, С. В.,
Филипеня, В. А.,
Черный, В. В.,
Явид, В. Ю.,
Янковский, Ю. Н.,
Дубровский, В. А. Исследованы ВАХ
МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время
Зарядовые состояния МОП-структурПроведен анализ процессов, происходящих на поверхности
МОП-структур во время плазменной обработки