Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 869

Страница 12 из 87

Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками
Соловьев, Я. А.
характеристики диодов Шоттки с канавочной структурой металл – окисел – полупроводник (МОП), учитывающей
Полевой транзистор с использованием графена и гексогонального нитрида бора
Мищенко, В. Н., Муравьев, В. В., Павлючик, А. А.
Полевой транзистор с использованием графена и гексогонального нитрида бора
Нормально закрытый нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе графена и нитрида бора
Волчёк, В. С., Стемпицкий, В. Р.
Нормально закрытый нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на
Графеновый полевой транзистор с использованием гидрированного графена
Мищенко, В. Н.
Графеновый полевой транзистор с использованием гидрированного графена
Тиристоры
Баевич, Г.А.
биполярный транзистор
Специальные диоды
Баевич, Г.А.
биполярный транзистор
Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения
Баевич, Г.А.
биполярный транзистор
Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения
Баевич, Г.А.
биполярный транзистор
Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора
Мищенко, В. Н., Mishchenka, V. N.
транзистор
Физика низкоразмерных систем
Одноэлектронный транзистор

Страница 12 из 87

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core