По вашему запросу найдено документов: 48783
Страница 8 из 4879
Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devicesмногослойные структуры
Газофазовая эпитаксия арсенида галлияфизика полупроводников
Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4. Установлено, что при нанесении диэлектрика вблизи границы раздела образуются примесно-дефектные центры
Основные свойства полупроводниковОсновные свойства полупроводников
Создание органического инжекционного лазера - проблемы и достижениятонкопленочные структуры
Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложкахСветодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и
Электрические и газочувствительные характеристики сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников
Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников
Особенности пленок полупроводников А{II}B{VI}, полученных методом химического осаждения или наслаиванияПроведены исследования субмикронных пленок полупроводников класса А{II}В{VI} на примере покрытий Cd
Азотные примесно-дефектные комплексы в спектрах оптического поглощения алмаза: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 12.03.03 - Фотоника и оптоинформатикаАзотные примесно-дефектные комплексы в спектрах оптического поглощения алмаза: выпускная
Страница 8 из 4879
Фасеты
Партнеры
Индексация
