Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 48811

Страница 1 из 4882

Application features of MOSFET spice models in design of radio-electronic equipment
Сидарас, Антон Альбертасович, Носкова, Елена Евгеньевна, Капулин, Денис Владимирович
simulation adequacies of a radio-electronic equipment on the basis of Spice models of electronic components
Application features of MOSFET spice models in design of radio-electronic equipment
Сидарас, Антон Альбертасович, Носкова, Елена Евгеньевна, Капулин, Денис Владимирович
simulation adequacies of a radio-electronic equipment on the basis of Spice models of electronic components
Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистора
Боровик, А. М., Ханько, В. Т., Стемпицкий, В. Р., Borovik, A. M., Khanko, V. T., Stempitsky, V. R.
models SPICE parameters extraction for standard design MOS transistors manufactured using the technology
Concept of new compact model of deep-submicron MOSFET
Nelayev, V., Tran Tuan Trung
“compact” submicron MOSFET device model. Parameters of this model are verified by means
Simulation of impact ionization process in deep submicron n-channel MOSFETS
Borzdov, V. M., Borzdov, A., Speransky, D., Pozdnyakov, D.
The ensemble Monte Carlo simulation of deep submicron silicon MOSFET with length is performed
Физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем.
Будник, А. В., Budnik, A. V.
выходной вольт-амперной характеристики.The aim of the present dissertation is to develop the MOSFET
Parametric studies of models of the deep-submigron mosfet
Tran, Tuan Trung, Borovik, A., Neiayev, V.
Parametric studies of models of the deep-submigron mosfet
Конструктивно-технологические особенности мощных транзисторов и их электротепловая модель
Сыс, А. Д.
транзисторов MOSFET и их электротепловая модель. Предложены оптимальные варианты конструктивно
Screening design and device/technology deep- submicron MOSFET simulation
Borovik, A. M., Trung Tran Tuan, Stempitsky, V. R., Боровик, А. М., Стемпицкий, В. Р.
deep- submicron MOS-FET model was investigated in the presented work. The screening
Voltammetric determination of curcumin in spices
Ziyatdinova G., Nizamova A., Budnikov H.
limit is 4.1 × 10 -6 M. Curcumin is determined in model solutions. The relative standard deviation does

Страница 1 из 4882

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core